Схемы включения транзисторов

Рис. 2.3. Схемы включения транзисторов: о) с общим эмиттером; б) с общей базой; в) с общим коллектором. ИС — источник сигнала, подаваемого на вход транзистора; £/ах» ^вых — входное и выходное напряжения сигнала; Ub3, £/бК, U*3 — напряжения между базой и эмиттером, базой коллектором, коллектором и эмиттером; /а, i3, /к — токи базы, эмиттера и коллектора; Е2 — источники питания; С„ С2 — конденсаторы большой емкости, сопротивление которых для переменного сигнала является малым и через которые коллектор по переменному току замкнут, являясь в схеме общим.

2.6.5. Оптоэлектронные приборы

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор — полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании явлений излучения, передачи или поглощения в видимой, инфракрасной или ультрафиолетовой областях спектра.

Светоизлучающий диод — полупроводниковый прибор с 69

одним переходом, в котором происходит преобразование электрической энергии в энергию светового излучения. Прибор предназначен для использования в устройствах визуального представления информации. Основные параметры светоизлучающих диодов приведены в табл. 2.17, где /_у — сила света, мкд (милликандела), В — яркость, кд/м² (кандела на метр²). Остальные параметры — как в обычных диодах.